이효선학생, 한국인 최초로 미국 진공학회에서 호프만 장학상 수상

우리 대학원원 이효선 박사과정(28, 지도교수 박정영) 학생이 제 63회 미국진공학회(American Vacuum Society) 국제학회에서 최고 수준의 대학원생에게 주어지는 ‘호프만 장학상(Dorothy M, and Earl S.Hoffman Scholarship Award)’을 한국인 최초로 수상했다.

1954년 설립된 미국진공학회(AVS)는 화학, 물리, 생물학 등 다양한 분야의 전문가가 모여 나노과학, 표면과학 등의 과학기술분야 발전에 기여한 국제 학회이다. 이번에 열린 제63회 학회는 11월 6일부터 6일간 미국 내슈빌에서 열렸고 세계 각국의 회원 4천 500여 명이 참석했다.

 호프만 장학상은 전 미국진공학회장이었던 도로시 M. 호프만 학자의 후원으로 2002년부터 제정됐다. 학회에 참석한 대학원생 중 최고 수준의 연구결과를 보여준 2명을 선정해 시상한다.

이효선 씨는 이번 학회에서 ‘나노디바이스를 이용한 표면촉매반응에서의 핫전자 검출’이라는 주제의 연구를 통해 수상했다. 이는 상이 제정된 이래 비미국 대학 출신 학생이 수상한 최초의 사례이다.

이씨의 연구는 촉매활성도에 영향을 미치는 핫전자를 새로운 나노디바이스를 이용해 정량적으로 분석하는 기술이다. 이 연구는 나노촉매표면에서의 화학반응 원리의 이해도를 높였다는 평을 받아 지난 2월 ‘나노레터스(Nano Letters)’에 게재됐다. 또한 수소 산화반응 중 금속 나노촉매 표면에서 발생한 핫전자 흐름을 검출해 앙케반테 케미(Angewandte chemi)에도 논문을 게재했다.